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產(chǎn)品分類TECHNICAL ARTICLES
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日本進(jìn)口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設(shè)備 BEM-310該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個(gè)表面進(jìn)行體蝕刻。氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。這是在潔凈室中使用的獨(dú)立式設(shè)備。
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日本進(jìn)口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設(shè)備 BEM-310 特點(diǎn)介紹
該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個(gè)表面進(jìn)行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨(dú)立式設(shè)備。
使用單張片材對整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻,但也可以通過映射恢復(fù)進(jìn)行部分評估。
晶圓搬運(yùn)由人工完成,但設(shè)備由計(jì)算機(jī)控制,操作方便。
日本進(jìn)口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設(shè)備 BEM-310 規(guī)格參數(shù)
設(shè)備名稱 BEM-310
兼容晶圓尺寸 200毫米、300毫米
手術(shù) 內(nèi)置電腦
批量蝕刻功能 ○
恢復(fù)率能力 ±10%以內(nèi)
蝕刻后平整度 ±10%以內(nèi)
外形尺寸(寬×深×高)(毫米)(*1) 1000×1300×2000
重量 約150公斤
使用設(shè)備 酸排放、一般廢氣、酸廢氣
所需的公用設(shè)施 電源(AC100V、200V)、純水、O2、N2、HF
該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個(gè)表面進(jìn)行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨(dú)立式設(shè)備。
使用單張片材對整個(gè)表面進(jìn)行蝕刻,但也可以通過映射恢復(fù)進(jìn)行部分評估。
晶圓搬運(yùn)由人工完成,但設(shè)備由計(jì)算機(jī)控制,操作方便。
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