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產(chǎn)品展示/ Product display
日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。
產(chǎn)品型號：BEM-310廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-10-12訪 問 量：230
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日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 特點介紹
該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。
使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復(fù)進行部分評估。
晶圓搬運由人工完成，但設(shè)備由計算機控制，操作方便。
日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 規(guī)格參數(shù)
設(shè)備名稱 BEM-310
兼容晶圓尺寸 200毫米、300毫米
手術(shù) 內(nèi)置電腦
批量蝕刻功能 ○
恢復(fù)率能力 ±10%以內(nèi)
蝕刻后平整度 ±10%以內(nèi)
外形尺寸（寬×深×高）（毫米）（*1） 1000×1300×2000
重量 約150公斤
使用設(shè)備 酸排放、一般廢氣、酸廢氣
所需的公用設(shè)施 電源（AC100V、200V）、純水、O2、N2、HF
該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。
使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復(fù)進行部分評估。
晶圓搬運由人工完成，但設(shè)備由計算機控制，操作方便。
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