PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類日本古河furukawa氮化鋁 (AlN) 陶瓷零件半導體制造設備用
半導體制造設備(用于前端工藝)需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑(300mmφ或更大)。為此,構成設備的部件材料的選擇極其重要。
氮化鋁(AlN)是一種平衡良好的材料,具有優(yōu)異的導熱性、熱輻射(散熱)、抗熱震性和電絕緣性,并且具有與硅晶片相匹配的熱膨脹性。
利用古河電子的燒成技術,我們還能夠制造550mmφ的氮化鋁陶瓷部件。我們還將應對更大直徑的晶圓。
我們還提供材料。如果您對氮化鋁陶瓷有任何疑問,請隨時與我們聯(lián)系。
特征
具有高導熱率和熱發(fā)射率,熱量均勻性高。
它具有抗熱沖擊能力,可以承受快速加熱和冷卻。
與硅相匹配的低熱膨脹。
對氟氣具有優(yōu)異的耐腐蝕性。
目的
半導體制造裝置(CVD、蝕刻等)用各種基座、靜電吸盤、均熱板、真空吸盤、加熱器
虛擬晶圓
目標
化合物半導體制造設備零部件
型號:FAN-090 / FAN-170 / FAN-200
郵箱:akiyama_zhou@163.com
傳真:
地址:廣東省深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路8號和健云谷2棟10層1002